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IRFB4110PBF - Infineon Technologies

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-IRFB4110PBF

Hersteller Teil #: IRFB4110PBF

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: Infineon Technologies

Beschreibung: MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 3.7 Milliohms; ID 180A; TO-220AB; PD 370W

Verpackung: TO-220-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

IRFB4110PBF Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Factory Lead Time

12 Weeks

Package / Case

TO-220-3

Contact Plating

Tin

Mount

Through Hole

Mounting Type

Through Hole

Number of Pins

Transistor Element Material

SILICON

Power Dissipation (Max)

370W Tc

Turn Off Delay Time

78 ns

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

120A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250μA

Number of Elements

Operating Temperature

-55°C~175°C TJ

Packaging

Tube

Series

HEXFET®

Published

2008

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

Termination

Through Hole

ECCN Code

EAR99

Voltage - Rated DC

100V

Current Rating

180A

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

370W

Case Connection

DRAIN

Turn On Delay Time

25 ns

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5m Ω @ 75A, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

9620pF @ 50V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

210nC @ 10V

Rise Time

67ns

Vgs (Max)

±20V

Fall Time (Typ)

88 ns

Continuous Drain Current (ID)

180A

Threshold Voltage

JEDEC-95 Code

TO-220AB

Gate to Source Voltage (Vgs)

20V

Drain-source On Resistance-Max

0.0045Ohm

Drain to Source Breakdown Voltage

100V

Pulsed Drain Current-Max (IDM)

670A

Dual Supply Voltage

100V

Recovery Time

75 ns

Nominal Vgs

4 V

Width

4.826mm

Height

16.51mm

Length

10.66mm

REACH SVHC

No SVHC

Radiation Hardening

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Lead Free

Teilenummer	Paket	Beschreibung
IRFB4110PBF	TO-220-3	MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 3.7 Milliohms; ID 180A; TO-220AB; PD 370W
IRF2907ZPBF	TO-220-3	Mosfet, Power; N-ch; Vdss 75V; Rds(on) 3.5MILLIOHMS; Id 170A; TO-220AB; Pd 300W; -55DE
FDP036N10A	TO-220-3	MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3
IRFB3207ZPBF	TO-220-3	MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
IRFB3207PBF	TO-220-3	MOSFET N-CH 75V 180A TO-220AB

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 3.7 Milliohms; ID 180A; TO-220AB; PD 370W

Verpackung: TO-220-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 85000 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: aufrufen

Menge.	Stückpreis
1+:	$0.00000
10+:	$0.00000
100+:	$0.00000
500+:	$0.00000
1000+:	$0.00000

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